0755-83211462
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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
NXH004P120M3F2PTNG
FET、MOSFET 阵列
Sanyo Semiconductor/onsemi
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
-
托盘
0
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$181.6560
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1

$193.9410

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NXH004P120M3F2PTNG
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
NXH004P120M3F2PTNG
FET、MOSFET 阵列
Sanyo Semiconductor/onsemi
SILICON CARBIDE
FET、MOSFET 阵列
托盘
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包裹托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱Module
安装类型Chassis Mount
配置2 N-Channel (Half Bridge)
工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)
技术Silicon Carbide (SiC)
功率 - 最大1.1kW (Tj)
漏源电压 (Vdss)1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C338A (Tj)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds16410pF @ 800V
Rds On(最大)@Id、Vgs5.5mOhm @ 200A, 18V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs876nC @ 20V
Vgs(th)(最大值)@Id4.4V @ 120mA
供应商设备包36-PIM (56.7x62.8)
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