0755-83211462
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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
G220P03D32
FET、MOSFET 阵列
Goford Semiconductor
MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-
-
卷带式 (TR)
4960
价格:
$0.1710
库存: 4960
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$121.5000

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$0.1800

$360.0000

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$855.0000

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$0.1620

$1,620.0000

25000

$0.1530

$3,825.0000

50000

$0.1530

$7,650.0000

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产品详情
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G220P03D32
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
G220P03D32
FET、MOSFET 阵列
Goford Semiconductor
MOSFET P+P-CH 3
FET、MOSFET 阵列
卷带式 (TR)
4960 
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
配置2 P-Channel
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大30W (Tc)
漏源电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1305pF @ 15V
Rds On(最大)@Id、Vgs22mOhm @ 3A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs25nC @ 10V
Vgs(th)(最大值)@Id2V @ 250µA
供应商设备包8-DFN (3.15x3.05) Dual
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