FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应管类型 P-Channel
- 包装/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- 供应商设备包 TO-39
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 1mA
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 150 pF @ 25 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 5Ohm @ 1A, 10V
- 功耗（最大） 6.25W (Ta)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 790mA (Ta)
