FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
TPN1600ANH,L1Q
型号：
TPN1600ANH,L1Q
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
封装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
是
货币：
USD
PDF：
资料
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 包装/箱 8-PowerVDFN
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A (Tc)
- 供应商设备包 8-TSON Advance (3.1x3.1)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 19 nC @ 10 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 200µA
- 功耗（最大） 700mW (Ta), 42W (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1600 pF @ 50 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 16mOhm @ 8.5A, 10V
