FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
TPCC8006-H(TE12LQM
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 包装/箱 8-VDFN Exposed Pad
- 工作温度 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 22A (Ta)
- 功耗（最大） 700mW (Ta), 27W (Tc)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 27 nC @ 10 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.3V @ 200µA
- 供应商设备包 8-TSON Advance (3.3x3.3)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2200 pF @ 10 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 8mOhm @ 11A, 10V
