FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
TPC8212-H(TE12LQ,M
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 包装/箱 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管特性 Logic Level Gate
- 漏源电压 (Vdss) 30V
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 功率 - 最大 450mW
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.3V @ 1mA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A
- 供应商设备包 8-SOP (5.5x6.0)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 16nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 840pF @ 10V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 21mOhm @ 3A, 10V
