FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
TK60E08K3,S1X(S
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 包装/箱 TO-220-3
- 漏源电压 (Vdss) 75 V
- 供应商设备包 TO-220-3
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 75 nC @ 10 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A
- Rds On（最大）@Id、Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
- 功耗（最大） 128W
