FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SUP85N02-03-E3
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 供应商设备包 TO-220AB
- 包装/箱 TO-220-3
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5V, 4.5V
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- Vgs（最大） ±8V
- 功耗（最大） 250W (Tc)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 85A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 3mOhm @ 30A, 4.5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 450mV @ 2mA (Min)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 200 nC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 21250 pF @ 20 V
