FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
SIZ920DT-T1-GE3
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 30V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA
- 包装/箱 8-PowerWDFN
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 40A
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 35nC @ 10V
- 供应商设备包 8-PowerPair® (6x5)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1260pF @ 15V
- 功率 - 最大 39W, 100W
