SIZ902DT-T1-GE3

SIZ902DT-T1-GE3

型号: SIZ902DT-T1-GE3
产品分类: FET、MOSFET 阵列
品牌: Vishay / Siliconix
描述: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
封装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态:
货币: USD
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基本参数

  • 安装类型 Surface Mount
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管特性 Logic Level Gate
  • 漏源电压 (Vdss) 30V
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 2.2V @ 250µA
  • 包装/箱 8-PowerWDFN
  • 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 21nC @ 10V
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16A
  • 供应商设备包 8-PowerPair® (6x5)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 12mOhm @ 13.8A, 10V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 790pF @ 15V
  • 功率 - 最大 29W, 66W