FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SIS439DNT-T1-GE3
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 场效应管类型 P-Channel
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 工作温度 -50°C ~ 150°C (TJ)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 50A (Tc)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 68 nC @ 10 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.8V @ 250µA
- 供应商设备包 PowerPAK® 1212-8S
- 包装/箱 PowerPAK® 1212-8S
- Rds On（最大）@Id、Vgs 11mOhm @ 14A, 10V
- 功耗（最大） 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2135 pF @ 15 V
