FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SI8439DB-T1-E1
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应管类型 P-Channel
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.2V, 4.5V
- 漏源电压 (Vdss) 8 V
- 供应商设备包 4-Microfoot
- Vgs(th)（最大值）@Id 800mV @ 250µA
- Vgs（最大） ±5V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 50 nC @ 4.5 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.9A (Ta)
- 包装/箱 4-UFBGA
- 功耗（最大） 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 25mOhm @ 1.5A, 4.5V
