FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SI7157DP-T1-GE3
型号：
SI7157DP-T1-GE3
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
封装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
是
货币：
USD
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应管类型 P-Channel
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- Vgs（最大） ±12V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 1.6mOhm @ 25A, 10V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A (Tc)
- 供应商设备包 PowerPAK® SO-8
- 包装/箱 PowerPAK® SO-8
- 功耗（最大） 6.25W (Ta), 104W (Tc)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5V, 10V
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 625 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 22000 pF @ 10 V
