FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
RJK5030DPD-00#J2
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±30V
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 漏源电压 (Vdss) 500 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A (Ta)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 550 pF @ 25 V
- 供应商设备包 MP-3A
- Rds On（最大）@Id、Vgs 1.6Ohm @ 2A, 10V
- 功耗（最大） 41.7W (Tc)
