FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 包装/箱 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 1mA
- 供应商设备包 I2PAK
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 100A (Tj)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 8.5mOhm @ 25A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 111 nC @ 10 V
- 功耗（最大） 263W (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 5512 pF @ 50 V
