FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRG7PSH50UDPBF
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- IGBT类型 Trench
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 1200 V
- 输入类型 Standard
- 集电极脉冲电流 (Icm) 150 A
- 反向恢复时间 (trr) 190 ns
- 包装/箱 TO-274AA
- 测试条件 600V, 50A, 5Ohm, 15V
- 供应商设备包 PG-TO274-3-903
- 功率 - 最大 462 W
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
- 栅极电荷 440 nC
- 集电极电流 (Ic)（最大） 116 A
- 开关能量 3.6mJ (on), 2.2mJ (off)
- Td（开/关）@ 25°C 35ns/430ns
