FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRF8301MTRPBF
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 功耗（最大） 2.8W (Ta), 89W (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 6140 pF @ 15 V
- 供应商设备包 DIRECTFET™ MT
- 包装/箱 DirectFET™ Isometric MT
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.35V @ 150µA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 34A (Ta), 192A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 1.5mOhm @ 32A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 77 nC @ 4.5 V
