FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRF7342D2TRPBF
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 供应商设备包 8-SO
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 漏源电压 (Vdss) 55 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 38 nC @ 10 V
- 场效应管特性 Schottky Diode (Isolated)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 690 pF @ 25 V
