FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
GA50JT06-258
型号：
GA50JT06-258
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
TRANS SJT 600V 100A TO258
封装：
Bulk
ROHS状态：
是
货币：
USD
PDF：
资料
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 100A (Tc)
- 漏源电压 (Vdss) 600 V
- 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 工作温度 -55°C ~ 225°C (TJ)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 25mOhm @ 50A
- 功耗（最大） 769W (Tc)
- 供应商设备包 TO-258
- 包装/箱 TO-258-3, TO-258AA
