EPC2012

EPC2012

型号: EPC2012
产品分类: 单 FET、MOSFET
品牌: EPC
描述: GANFET N-CH 200V 3A DIE
封装: -
ROHS状态:
货币: USD

基本参数

  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 包装/箱 Die
  • 供应商设备包 Die
  • 场效应管类型 N-Channel
  • Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 1mA
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A (Ta)
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 1.8 nC @ 5 V
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 5V
  • 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏源电压 (Vdss) 200 V
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 100mOhm @ 3A, 5V
  • Vgs(最大) +6V, -5V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 145 pF @ 100 V