FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
BUK9E1R9-40E,127
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 40 V
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 包装/箱 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- 供应商设备包 I2PAK
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 120A (Tj)
