FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 年级 Automotive
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 40 V
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 资质 AEC-Q101
- 包装/箱 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 75A (Tc)
- 功耗（最大） 300W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 1mA
- Vgs（最大） ±15V
- 供应商设备包 I2PAK
- Rds On（最大）@Id、Vgs 4mOhm @ 25A, 10V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.3V, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 128 nC @ 5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 8260 pF @ 25 V
