FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
APTM120H29FG
基本参数
- 安装类型 Chassis Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 供应商设备包 SP6
- 包装/箱 SP6
- 漏源电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
- 配置 4 N-Channel (Full Bridge)
- 功率 - 最大 780W
- Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 5mA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 34A
- Rds On（最大）@Id、Vgs 348mOhm @ 17A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 374nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 10300pF @ 25V
