FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
APTM100A18FTG
基本参数
- 安装类型 Chassis Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 包装/箱 SP4
- 供应商设备包 SP4
- 功率 - 最大 780W
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 43A
- Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 5mA
- 漏源电压 (Vdss) 1000V (1kV)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 210mOhm @ 21.5A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 372nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 10400pF @ 25V
