FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
APTC60HM70RT3G
基本参数
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 包装/箱 SP3
- 供应商设备包 SP3
- 漏源电压 (Vdss) 600V
- 功率 - 最大 250W
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 7000pF @ 25V
- Vgs(th)（最大值）@Id 3.9V @ 2.7mA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 39A
- Rds On（最大）@Id、Vgs 70mOhm @ 39A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 259nC @ 10V
- 配置 4 N-Channel (Full Bridge) + Bridge Rectifier
