FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
APT30N60KC6
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装/箱 TO-220-3
- 漏源电压 (Vdss) 600 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 88 nC @ 10 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 125mOhm @ 14.5A, 10V
- Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 960µA
- 功耗（最大） 219W (Tc)
- 供应商设备包 TO-220 [K]
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2267 pF @ 25 V
