FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 包装/箱 8-PowerWDFN
- Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA
- Vgs（最大） ±12V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 100 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 5200 pF @ 15 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 1.85mOhm @ 20A, 10V
- 供应商设备包 8-DFN-EP (3.3x3.3)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 36A (Ta), 75A (Tc)
- 功耗（最大） 4.2W (Ta), 34W (Tc)
