FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 包装/箱 6-WDFN Exposed Pad
- 供应商设备包 6-DFN (2x2)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应管类型 P-Channel
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- Vgs（最大） ±12V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 12 nC @ 10 V
- 功耗（最大） 2.8W (Ta)
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5V, 10V
- 场效应管特性 Schottky Diode (Isolated)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 305 pF @ 15 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 117mOhm @ 4A, 10V
