FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
2SJ360(TE12L,F)
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- Vgs（最大） ±20V
- 场效应管类型 P-Channel
- 包装/箱 TO-243AA
- Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 1mA
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4V, 10V
- 功耗（最大） 500mW (Ta)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1A (Ta)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 6.5 nC @ 10 V
- 供应商设备包 PW-MINI
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 155 pF @ 10 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 730mOhm @ 500mA, 10V
